东什么pos机(东芯股份研究报告：立足中小容量存储，稳步迈向高端大容量)

（报告出品方/作者：国联证券，熊军）

1. 聚焦利基型存储，SLC NAND 龙头厂商

1.1 深耕存储领域，拥有多类产品解决方案

中小容量通用型存储芯片领先厂商。东芯股份成立于 2014 年 11 月 26 日，2021 年 12 月 10 日在上交所科创板挂牌上市，是一家专注于中小容量通用型存储芯片研 发、设计和销售的芯片设计企业，并能为优质客户提供芯片定制化开发服务。自成立 以来致力于实现本土存储芯片的技术突破，依靠在存储芯片设计领域积累的大量技术 经验、自有知识产权以及研发设计体系，成功研发并量产了 NADN、NOR、DRAM 等主流存储芯片。凭借高可靠性、低功耗等特点，产品获得高通、博通、联发科、中 兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技、紫光展锐等多家知名平台厂商认证并进入三星 电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外标杆客户的供应链体系，被 广泛应用于通信、安防、消费电子等下游终端设备。

立足 NAND Flash，产品矩阵丰富。公司于 2014 年成立后，通过市场调研与竞 品分析，确立了 SLC SPI NAND 的研发计划，开始在中芯国际 38nm 的工艺平台上 进行 SLC SPI NAND Flash 的研发。2015 年收购韩国芯片设计公司 Fidelix 后，通过 吸收整合双方研发经验和团队，成功实现国内第一颗 1Gb SLC SPI NAND Flash 芯 片流片，并于 2017 年 9 月实现 2Gb SLC SPI NAND 产品流片。基于在中芯国际工 艺平台成功的研发经验，又陆续推出 2Gb、4Gb 等系列产品，丰富了 SLC NAND 系 列产品线，目前已经实现 SLC NAND 产品从 1Gb 到 32Gb 的量产或流片。此外基于 Fidelix 已有的 NOR Flash 技术储备，以低功耗需求为切入点，将该产品的工艺制程从 90nm 推进至 65nm，2017 年凭借“提高擦除可靠性”以及“数据自动刷新”等 核心技术，在力积电 48nm 工艺平台实现 NOR Flash 量产，进一步丰富 NOR Flash 产品线并通过制程升级提升了产品竞争力。韩国 Fidelix 主要从事 DRAM 和 MCP 存 储芯片产品的研发和销售，在 DRAM 和 MCP 领域具备较强的技术储备，拥有完整 的知识产权，收购 Fidelix 后公司顺利承接 DRAM 和 MCP 产品线，至此公司已经拥 有 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片的完整解决方案，涵盖主流的中小 容量存储芯片产品。

技术积累厚积薄发，扭亏为盈快速增长。凭借多年的技术积累与产品的不断更新 迭代，公司推出了一系列具备技术领先性与市场竞争力的产品，叠加存储行业景气度 回升，公司收入规模实现持续增长。2018-2021 年营业收入分别为 5.1 亿元、5.14 亿元、7.84 亿元和 11.34 亿元，3 年 CAGR 为 30.5%；2018-2021 年归母净利润分 别为-0.22 亿元、-0.64 亿元、0.2 亿元和 2.62 亿元，2018-2019 年盈利为负主要原 因为产品价格随行业周期波动下行，研发投入较大的同时规模效应尚未形成，随着公 司产品线的不断丰富以及对客户导入逐步完成，产品放量规模效应显现，2020 年实 现扭亏为盈并在 2021 年实现快速增长，归母净利润同比增长 1240.27%。

面向利基市场，已成国内 SLC NAND 龙头。存储芯片产品按照流行程度与规格 分为主流产品和利基产品，主流产品是指容量大于 4Gb 的 MLC/TLC NAND、PC DRAM、Mobile DRAM、Server DRAM，该市场以国外三星、美光、海力士等主流 存储芯片厂商为主；利基型产品主要包括 SLC NAND、容量小于 4Gb 的 MLC/TLC NAND、利基 DRAM、NOR Flash 等，利基市场主要以中国台湾的旺宏、华邦、南 亚科技、大陆的兆易创新及公司为主。公司 NAND 存储芯片主要为 SLC NAND，2021 年 NAND 产品收入为 6.6 亿元，同比增长 65.63%，实现快速增长。

1.2 股权结构稳定，研发人员背景深厚

股权集中稳定，员工持股助力长期发展。第一大股东为东方恒信，共持有公司 32.38%股份，实际控制人为董事长蒋学明先生和董事蒋雨舟女士，二人通过东方恒 信和东芯科创控制 49.96%的表决权。其中东方科创为公司的员工持股平台，共持有 公司 5.09%的股份，2017 年公司通过东芯科创实施员工持股计划，闻起投资、犀华 投资将其持有 5.81%、5.44%的股权分别转给东芯科创，并确认股份支付费用 4162.5 万元。2022 年 2 月公司发布股权激励计划，向符合首次授予条件的 77 名激励对象 授予 170.04 万股限制性股票，进一步绑定公司于核心骨干人才的利益。员工持股计 划的实施有利于凝聚公司发展源动力，维护公司长期稳定发展。

收购 Fidelix 战略互补，吸纳人才完善研发体系。子公司 Fidelix 专注于利基型 存储器市场，是三星、LG、日本瑞萨等国际知名公司的长期稳定供应商，创始人安 承汉（AHN SEUNG HAN）拥有超过 30 年的芯片行业从业经验，是韩国最早的一批 从事存储芯片设计的技术研发工程师，曾就职于海力士 DRAM 事业部。公司收购 Fidelix 后，在研发团队建设方面与 Fidelix 进行高度的互补，任命安承汉先生为 Fidelix代表理事，组建了以安承汉、康太京（KANG TAE GYOUNG）、李炯尚（LEE HYUNG SANG）和赖荣钦等为研发核心的存储芯片研发团队，研发团队主体位于大陆，具备 独立研发的能力和技术水平，可以从事电路设计、版图设计、版图验证、测试等完整 的产品研发环节。此外公司还搭建了完整的研发体系，建立了以研发部为核心，多部 门协同参与的研发体系，并基于研发团队多年对电路设计、工艺制造、封装测试等环 节的经历与经验，匹配了对应的技术分析并将分析结果上传至本地数据库，建立了可 查询、可对比的产品研发平台，实现研发资源的高效共享。

1.3 上游建立战略合作，下游多元市场布局

建立稳定可靠的上游供应链体系。成立以来公司一直采取 Fabless 模式经营，专 注于产品的研发设计与市场开拓，生产主要采用委托外包方式。轻资产、侧重产品研 发与市场销售的经营模式有利于提高公司的整体营运效率。为了把控产品质量、保证 供应链的运转效率，公司积极与国内外多家知名晶圆厂、封测厂建立互助、互利、互 信的合作关系，打造具备“本土深度、全球广度”特点的供应链体系。具体来看公司 与大陆最大的晶圆代工厂中芯国际在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上已 经开展了连续多年的深度技术合作，研发了多种闪存芯片的标准工艺，提高了晶圆的 产品良率和生产效率，继共同开发大陆第一条 NAND Flash 工艺线后，目前已经将 NAND Flash 工艺制程推进至 24nm；与全球最大的存储芯片代工厂力积电建立紧密合作，在其多条存储芯片先进制程的生产线实现了产品的稳定量产，进一步扩充了产 品品类；封装测试方面已经与紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、AT Semicon 等境内 外知名封测厂商建立了稳定的合作关系。

开拓多元化市场布局。随着新兴应用领域和智能终端产品对存储芯片需求日益增 加，公司将通过持续的研发创新、制程升级和性能迭代，保持公司现有产品的性能领 先与竞争优势；凭借多种类存储芯片产品的优势，加大对物联网、智能硬件应用、汽 车电子、医疗健康等新兴领域的开拓，提高公司产品的市场占有率，同步提升定制化 产品及服务的能力；坚持以存储产品为核心，拓展智能化外延并以应用为导向，开发 具有特色的存储产品，通过差异化提升盈利空间；持续开拓国内优质客户，服务行业 重要客户，开始有计划、有步骤地拓展海外市场，提升公司在欧美的市场地位和影响 力。

1.4 自主研发核心技术，工艺和性能国内领先

持续加大研发投入，知识产权自主清晰。为了提高创新能力，增强技术优势，提 升盈利能力与市场竞争力，公司高度重视研发投入与研发团队建设，2021 年研发费 用达到 0.75 亿元，同比增长 57.37%，研发费用率达到 6.6%；2021 年新增研发人 员 20 人，同比增长 29.85%，截至 2021 年年底，公司共有 87 名研发人员，占员工 总人数的 47.28%。经过长期的研发创新，公司在 NAND、NOR、DRAM 等存储芯 片的设计环节都具备了自主研发能力与核心技术。截至 2021 年年底，公司已经拥有 境内外有效专利 78 项、软件著作权 13 项、集成电路布图设计权 48 项、注册商标 9 项；累计申请境内外专利 87 项，获得专利授权 69 项；核心技术主要包括 6 项 NAND Flash 相关技术、两项 NOR Flash 相关技术以及 1 项 DRAM 相关技术。（报告来源：未来智库）

2. 景气度上行，新兴应用驱动利基型市场扩容

2.1 NAND、NOR 和 DRAM 为主流存储芯片

存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数 据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。 1）易失性存储芯片断电后数据丢失，主要包括动态随机存储器 DRAM 和静态随机存 储器 SRAM，其中 DRAM 常用作内存，需求量高于 SRAM。SRAM 速度快但成本较 DRAM 高，一般用作 CPU 的高速缓存；2）非易失性存储芯片断电后数据不会丢失， 主要包括闪存 FLASH MEMORY、电可擦除可编程只读存储器 EEPROM 等，其中 FLAHS 又可以细分为 NAND Flash 和 NOR Flash，NAND 写入和擦除的速度快，存 储密度高、容量大，但不能直接运行 NAND 上的代码，适用于高容量数据的存储。 NOR 的优势是可直接运行所存储的代码，容量较小，一般为 1Mb-2Gb。

公司产品覆盖 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 以及集成产品 MCP：

1）NAND Flash：存储阵列由存储单元通过串联方式连接而成，以“页”为单 位进行读写操作，以“块”为单位进行擦除操作，具备存储容量大、写入/ 擦除速度快等特点。根据产品结构维度不同，可分为 2D NAND Flash 和 3D NAND Flash；根据存储单元密度不同，可分为 SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、TLC NAND Flash、QLC NAND Flash，对应一个存储单元分 别可以存放 1、2、3、4 个 bit 数据，一般来讲，存储单元密度越大，产品寿 命越短，速度越慢，但容量越大，成本越低。公司聚焦 2D SLC NAND Flash 的设计与研发，主要的产品采用浮栅型工艺结构，通信接口有 SPI 或 PPI 供选择，主要用于支持 Linux、RTOS 等应用系统代码的存储和运行，实现 数据的存储及快速改写，被广泛应用于如 5G 通讯模块和集成度要求较高的 终端系统运行模块；

2）NOR Flash：存储阵列是各存储单元通过并联连接组成，实现按位快速随机 读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片 内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足 快速启动应用系统的需求，普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。公司 主要的产品为 SPI NOR Flash，存储容量覆盖 2Mb 至 256Mb，支持多种数 据传输格式，主要应用场景包括在功能手机中存放通信数据交换时的启动程 序、在智能手机的摄像头模组中存放校正图像分辨率的指令代码、在蓝牙无 线耳机中存放启动时的引导程序，终端客户包括为三星、LG、传音控股、歌 尔股份等；

3）DRAM：工作原理是利用电容内存储电荷的多寡来表示一个二进制 bit，具备 运算速度快，断电后数据丢失的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系 统中的指令和数据进行处理，主要用在服务器、PC 和手机等设备。目前 DRAM 产品主要包括 DDR DRAM（Double Data Rate DRAM，双信道同步 动态随机存取内存）和 LPDDR DRAM（Low Power DDR DRAM，低功耗 双信道同步动态随机存取内存），DDR 可以在一个时钟读写两次数据，使得 传输数据加倍，目前已经发展至第五代，每一次升级都伴随着传输速度的提 升和工作电压的下降；LPDDR 通过与处理器紧邻、减少通道宽度等方法降 低功耗。公司 DRAM 产品包括 DDR3 和 LPDDR 系列产品（LPDDR1 和 LPDDR2），主要用于通信设备、智能终端、可穿戴设备等，下游客户包括 LG、瑞萨、索喜、惠尔丰、伟创力等；

4）MCP：将闪存芯片与 DRAM 进行合封的产品，以此来实现存储与数据处理 功能，节约空间的同时提高了存储密度，主要用于空间受限的电子产品，包括移动终端、通信设备等。公司 MCP 产品容量分布较多，包括 4G2G、2G1G、 2G1G、1G1G、2G512M、1G512M 等，凭借设计优势已经在紫光展锐、高 通、联发科的 4G 模块平台通过认证，应用于手机、MIFI、网络电话、POS 机等产品，获得了 TCL、日海智能、捷普等知名企业的认可。

NAND 和 DRAM 占据九成以上市场，NOR 具备不可替代性。存储芯片市场主 要包括 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 三种产品，其中 DRAM 和 NAND 约占 90%以上的市场份额，是最重要的两类存储芯片。根据 IC Insights 数据，2020 年全 球 DRAM 销售额约占整个存储市场的 53%，NAND Flash 约占 44%，两者合计占有 全球 97%的市场份额，2020 年 NOR Flash 市场份额大约占全球存储市场的 1%。尽 管 NOR Flash 占全球存储市场份额较小，但由于其具备读取速度快、稳定高、断电 后数据不丢失等特点，使得其在汽车、工业等部分对可靠性要求高的应用场景难以被 其余存储芯片取代。

2.2 市场空间：需求强劲，高景气持续

存储芯片：集成电路最重要的细分市场之一。存储芯片是电子系统中存储和计算 数据的载体，是应用面最广、市场比例最高的集成电路基础性产品之一。根据 Frost&Sullivan 数据，2015-2018 年全球集成电路市场规模不断增长，从 2015 年的 2745 亿美元增长至 2018 年的 3932.9 亿美元，3 年 CAGR 为 16.03%，受到国际贸 易摩擦影响，2019 年全球集成电路市场规模同比下降 16%达到 3303.5 亿美元。随着 5G 通信、物联网和人工智能等新兴产业的快速发展，全球集成电路市场规模在 2020 年同比增长 5.26%达到 3477.2 亿美元，集成电路迎来新一轮成长。根据 Frost&Sullivan 数据，预计 2021 年全球集成电路市场规模将达到 3751.8 亿美元，到 2025 年将达到 4364.9 亿美元，2021-2025 年 CAGR 为 3.86%。根据功能不同，集 成电路可以分为存储芯片、逻辑芯片、微处理器和模拟芯片，根据 WSTS 数据，2021 年存储芯片约占全球集成电路市场规模的 35.05%，其次为逻辑芯片（32.49%）、微 处理器（16.82%）和模拟芯片（15.64%）。

存储芯片存在明显的周期特性。存储芯片不存在明显的季节性或者区域性，作为 集成电路产业的“风向标”，其在单价及数量上呈现较强的周期性变化，这主要是因 为存储芯片产品的通用性较高，导致厂商在行业景气度上行周期扩产增收、景气度下 行周期降价清理库存；同时存储芯片的市场集中度高，为了维持产品的市场份额，一 家厂商在景气度上行周期扩产时，通常其他厂商也会跟随扩产，从而逐步造成产能过 剩出现供过于求的市场情况，导致存储芯片的产品价格下跌，而行业处于产能收缩期 时，由于相反的原因，最终导致市场需求大于供给，产品价格上涨，形成周期性。

新兴行业崛起加速存储产业发展，迎来新一轮景气上行。根据 WSTS 数据，全 球存储芯片市场规模由 2014 年的 792 亿美元增长至 2018 年的 1580 亿美元，2019 年受到贸易摩擦及产品价格下降影响，全球存储芯片市场规模下降 14.1%达到 1356 亿美元。随着科技创新技术的不断成熟和应用，5G 通讯、汽车电子、可穿戴设备等 新兴行业迎来快速发展，5G 基站、ADAS、智能电子产品等终端设备持续涌现，其 对文件处理、图像感知、代码执行等数据存储和执行能力要求也不断提升，带动对存 储芯片数量及性能需求提升。在下游应用需求复苏及涨价大背景下，全球存储芯片市 场迎来新一轮增长周期，根据 IC Insights 数据，预计 2021-2023 年全球存储芯片市 场规模分别为 1552 亿美元、1804 亿美元和 2196 亿美元，2021-2023 年 CAGR 为 18.95%。从国内来看，随着我国电子制造水平的不断提升，国内存储芯片产品的需 求量逐步攀升，根据 WSTS 数据，2018 年国内存储芯片市场规模为 5775 亿元，同 比增长 34.18%，预计 2023 年国内存储芯片市场规模将达到 6492 亿元，发展空间 广阔，国内存储芯片自给率仅 15.79%，产品替代的逻辑为国内存储芯片厂商带来巨 大发展机遇。

公司面向 SLC NAND、NOR Flash 和利基型 DRAM 中小容量细分市场。近年 来，随着应用场景的不断拓展，如通讯设备、汽车电子、物联网、可穿戴设备和工业 控制等新兴应用的出现，下游市场对具备可靠性、低功耗等特点的中小容量存储芯片 需求持续上升：

1）SLC NAND：相对资金投入巨大的中高容量存储 IDM 厂商，公司专注于中 小容量存储市场，以 SLC NAND 产品切入积极开拓市场，实现了部分产品 的替代。与大容量 NAND 存储产品追求单位存储密度的发展趋势不同，SLC NAND 目前主要应用于对可靠性要求高的相关领域，如 5G 通信设备、安防 监控、可穿戴设备等；根据 Gartner 数据，2019 年 SLC NAND 全球市场规 模达到 16.71 亿美元，除 2019 年受到行业周期性影响略有下降，从 2020 年 开始保持增长趋势，预计在原有刚性需求支撑和下游不断涌现的新兴应用领 域的影响下，2019-2023 年 SLC NAND 全球市场规模将从 16.71 亿美元增 长至 23.24 亿美元；

2）NOR Flash：由于近年来 DRAM、NAND Flash 需求高增，国际存储芯片厂 商将产能转出中小容量 NOR Flash 市场，聚焦高毛利大容量 NOR Flash， 或转向 DRAM 和 NAND Flash 业务；由于具备芯片内执行、读取速度快、没有坏块、稳定性高等特点，NOR Flash 在部分场景具备不替代性，随着应 用场景不断拓展，如物联网、可穿戴设备和工业控制等新兴应用的出现，NOR Flash 市场规模呈现稳定增长，根据 CINNO 数据，预计 2022 年全球 NOR Flash 市场规模将达到 37 亿美元；

3）利基型 DRAM：DRAM 被广泛用于移动设备、服务器、个人计算机、消费 电子等领域，公司专注于中小容量 DRAM 产品，主要用于利基型市场，终 端产品包括数字机顶盒、PON 等通讯设备及功能手机、行车记录仪等移动 终端等应用，根据 DRAMeXchange 数据，2019 年全球利基型 DRAM 市场 规模约为 55 亿美元，未来随着下游应用领域的稳定性发展，利基型 DRAM 市场规模将保持增长态势。

汽车电子成为中小容量 NAND Flash、NOR Flash 重要驱动力量。随着消费者 对于驾驶安全性、舒适性的需求不断提升，汽车智能化迎来快速发展期。ADAS 作为 汽车智能化变革中的一项关键技术，正成为推动汽车领域存储芯片增长的主要力量。 从先进辅助驾驶到完全自动驾驶，复杂的汽车应用需要更高容量的闪存芯片，NAND Flash 和 NOR Flash 单位成本具有优势，能够为较大容量车规闪存提供良好的解决 方案。根据 Gartner 数据，2019 年全球 ADAS 中对 NAND Flash 的存储需求为 2.2 亿 Gb，同比增长 300%，预计到 2024 年全球 ADAS 对于 NAND Flash 的存储需求 将达到 41.5 亿 Gb，2019-2024 年 CAGR 为 79.8%。高容量 NOR Flash 在汽车电子 中应用广泛，根据 IHS 数据，2016 年全球汽车电子市场规模为 1160 亿美元，预计 2022 年将达到 1602 亿美元，年均复合增速为 5.51%，其中 ADAS 板块 2016 年市 场规模为 70.88 亿美元，2022 年预计将达到 214.47 亿美元。

TWS 蓝牙耳机驱动 NOR Flash 市场增长。TWS 耳机由主耳机通过无线方式向 副耳机传输音频信号，左右两个耳机通过蓝牙组成立体声系统，由于完全解决了物理 线材束缚，使得便携性大幅提升。主控蓝牙芯片内存有限，为了存储更多固件和代码 程序，需外扩一颗小体积、低功耗的 NOR Flash 芯片。随着越来越多的厂家加入空 中下载功能 OTA，NOR Flash 的容量需求逐渐从原先的 8Mb、16Mb，提升至 32Mb、 64Mb 甚至 128Mb。根据 Counterpoint Research 及 IDC 数据，2020 年全球 TWS 耳 机出货量将达 1.2 亿副，增速超过 160％，预计 2023 年全球智能耳戴式装置出货量 将达 2.74 亿台，2019-2023 年复合年均增速达到 41.3%。随着 TWS 耳机功能的提 升和拓展，对 NOR Flash 的容量和性能将提出更高要求，进一步促进 NOR Flash 需求的稳步提升。

2.3 竞争格局：国外垄断主流，国内发力利基市场

国外厂商主导大容量市场，形成垄断格局。在存储芯片领域，国外厂商凭借先发 技术优势及在终端市场的品牌影响力，占据了大部分的市场份额，行业头部厂商包括 三星电子、美光科技、海力士、铠侠和西部数据等已经在各自专注的大容量存储产品 领域形成了寡头垄断的竞争格局。在 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 三个领域 中，DRAM 市场份额最集中，NOR Flash 以中国台湾、中国大陆厂商为主，根据前 瞻产业研究院数据，2020 年全球 DRAM 市场份额前三为三星电子（43%）、SK 海力 士（30%）和美光科技（23%），CR3 为 96%，垄断程度最高；2020 年全球 NAND Flash 市场份额前六分别为三星电子（33%）、铠侠（19%）、西部数据（15%）、美光科技 （11%）、SK 海力士（11%）和英特尔（10%），CR6 为 99%，垄断程度次之；2020 年全球 NOR Flash 市场份额前六为华邦电子（25%）、旺宏（22%）、兆易创新（16%）、 赛普拉斯（11%）、美光科技（4%）和武汉新芯（4%），CR6 为 82%，垄断程度最 低。

利基型市场竞争格局分散，国内厂商迎来替代机遇：

1）SLC NAND 主要参与者为中国台湾和大陆厂商。国外存储巨头三星、铠侠、 SK 海力士、美光科技等厂商专注于大容量的 NAND Flash，公司所在的 SLC NAND 市场主要供应商为中国台湾和大陆厂商包括华邦电子、旺宏电子、兆 易创新等，其中华邦电子和旺宏电子占据了较高市场份额，随着国产化需求 的不断提高，公司 SLC NAND 产品有望凭借领先制程、高性能优势取得更 大市场份额；

2）NOR Flash 替代空间大。根据 CINNO 数据，2020 年 Q1 前四大企业市场 份额达到 83%且产品在下游各有侧重点，华邦电子和旺宏电子侧重于工业控 制领域，赛普拉斯布局工业市场、航天市场和汽车电子市场，兆易创新作为 大陆的存储芯片设计公司占比达到 18%。随着下游新兴应用领域的不断涌现， NOR Flash 市场空间随之增大，公司在该领域发展的发展空间广阔；

3）中国台湾厂商占据利基型 DRAM 市场半壁江山。公司所处的利基型 DRAM 市场 主要参与者为华邦电子和南亚科技，根据 DRAMeXchange 数据，2019 年 利基型 DRAM 市场份额前二分别为南亚科技（39%）和华邦电子（18%）， 其次为美光科技（14%）、三星电子（13%）和 SK 海力士（10%），公司目 前市场份额还较小，未来会致力于 DRAM 产品的制程升级、提高产品性能 以此来提升市场份额。（报告来源：未来智库）

3. 立足中小容量特点鲜明，差异化竞争迈向主流

3.1 SLC NAND：拳头产品，开发大容量必经之路

SLC NAND 已成优势产品，营收占比逐年提升。NAND Flash 产品核心技术优 势明显，工艺制程已经从 2015 年的 38nm 升级至 2021 年的 24nm，SPI NAND Flash 采用了业内领先的单芯片集成技术，将存储芯片、逻辑电路与接口模块统一集成在同 一芯片内，有效节约了芯片面积，降低产品成本，提高产品竞争力。产品在耐久性和 数据保持性等特性方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数超过 10 万次，同时可在-40-105℃的极端环境下保持数据有效性长达十年，凭借领先的工艺 和出色的性能，NAND Flash 营收占比逐年提升，收入从 2018 年的 1.77 亿元增长至 2021 年的 6.6 亿元，营收占比从 2018 年的 34.7%增长至 2021 年的 58.2%，收入占 比超过 5 成。

技术水平引领国内，追赶国际先进水平。为了满足多样化的终端需求，2021 年 公司基于中芯国际 24nm 工艺完成了最大值 32Gb 产品设计流片，至此完成了从 1Gb 到 32Gb 系列产品设计研发的全覆盖；在工艺制程上，与中芯国际深度合作，基于 19nm 工艺平台完成了首颗 SLC NAND Flash 流片，制程微缩进入 20nm 有利于降低 产品成本，提升产品竞争力，比肩国外先进技术水平；产品容量扩容进一步扩充产品 体系，为下一步满足更多下游应用场景奠定基础。

大容量 3D 堆叠是趋势，SLC NAND 为拓展奠定基础。3D NAND 于 2014 年实 现商业化量产，它的基本结构是将存储单元堆叠起来，带来的效果包括总体容量大幅 提升和单位容量大幅提升。存储单元包括 SLC NAND、MLC NAND、TLC NAND 和 QLC NAND，目前 3D NAND 存储单元以 TLC NAND 为主，以 QLC 为基本存储单 元的 3D NAND 产品比重在逐步提升。SLC NAND 产品凭借高可靠性的擦除、高带 宽、寿命长等优势在下游多领域被广泛应用，是向大容量 3D NAND 拓展的基石。

3.2 闪存进入 1xnm 时代，布局车规产品切入汽车电子

闪存产品制程升级进展顺利。2021 年公司 IPO 募集资金建设 1xnm 闪存产品研 发及产业化项目进展顺利，公司已于 2021 年下半年基于中芯国际 19nm 平台完成首 颗 SLC NAND 芯片流片。芯片制程的升级意味着单位存储面积上的存储单元密度增 加，降低了存储芯片的生产成本；该项目的顺利实施也有利于公司响应国家战略，缩 小与国外厂商产品的制程差距，完成国产替代。我们看好 NAND Flash 在制程进一步 升级的情况下，持续受益于下游应用数据快速增长对于存储需求高增。

顺应智能汽车发展战略，打造高附加值车规存储产品。汽车智能化的进程已经 加速，随着智能驾驶等级的提升以及智能座舱、车载信息娱乐系统、多摄像头传感器 方案等功能的引入，汽车对于存储的需求大幅提升，根据搜狐汽车研究室数据，2019 年全球汽车存储芯片市场规模为 36 亿美元，预计 2025 年将达到 83 亿美元， 2019-2025 年 CAGR 为 14.9%。车规级存储芯片在工艺技术、使用环境、抗震能力、 可靠性等方面比传统消费电子类存储芯片要求更高，因此该类存储芯片具有高附加值、 高技术门槛等特点，目前公司的 SLC NAND 已经可以在-40℃到 105℃的极端环境下 保持数据有效性长达 10 年，产品的可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。

扎实的技术储备为车规产品开发奠定基础。相较于工业级存储芯片，车规级对芯 片运行的稳定性和可靠性有着更严格的要求。公司凭借在存储芯片领域多年的经验积 累和技术储备，打造了以低功耗、高可靠性为特点的闪存芯片产品，部分产品的温控 能力、使用寿命已经达到车规要求，具备了车规级闪存产品的产业化研发能力。同时 在提高存储芯片的可靠性方面形成了多项核心专利与技术，可满足智能汽车低能耗运 行、低延迟传输、高可靠行驶的技术需求。

3.3 结构优化叠加需求旺盛，盈利能力显著提升

持续优化产品结构，各产品毛利率大幅提升。经历前期的技术积累后，2021 年 公司实现销售规模的大幅增长，产品销售的规模效应逐步显现。面对全球产能紧张的情况，公司采取措施积极应对，持续推进多元化多渠道布局，为业绩增长提供产能保 障，同时在技术上微缩制程、生产上提高产品良率，对现有的产品结构进行持续优化， 公司的产品毛利率得到大幅提升，2021 年同比提升 20.11 个百分点达到 42.12%， NAND 产品毛利率提升 28.05 个百分点达到 51.07%，成为盈利大幅增长的主要贡献 业务。

费用管理逐步向好，期间费用率呈下降趋势。2018-2021 年销售费用分别为 1670 万元、1987 万元、2037 万元和 1592 万元，销售费用率分别为 3.27%、3.87%、2.60% 和 1.40%；2018-2021 年管理费用分别为 4002 万元、4454 万元、4550 万元和 5971 万元，管理费用率分别为 7.85%、8.67%、5.8%、5.26%，2021 年管理费用支出增 加主要是由于上市相关服务费增加，管理人员薪酬增长；2021 年财务费用分别为 519 万元、-15 万元、3063 万元和-903 万元，财务费用率分别为 1.02%、-0.03%、3.91% 和-0.8%，2021 年财务费用大幅变动主要是受美元对人民币汇率影响，兑汇损失较大， 2021 年通过加强外汇管理降低风险，提高受益。

性能升级叠加高景气，产品 ASP 呈现提升态势。公司拳头产品 NANA Flash 根 据容量划分为 1Gb 和 2Gb 及以上，2019 年 NAND 产品平均单价由 5.47 元降至 3.74元，主要原因是 NAND 系列产品出现行业周期性波动以及下游终端应用产品通讯设 备的主控搭配需求由 PPI NAND 转变为 SPI NAND，低容量的 1G SPI NAND 销量明 显增加。随着大容量及更高性能 NAND 闪存产品的出货占比提升，2020 年 NAND 产品平均销售单价由 3.74 元增长至 4.66 元。2021 年存储行业景气上行，下游需求 旺盛，凭借出众的产品性能，NAND 平均单价由 4.66 元增长至 2021 年 H1 的 7.63 元。我们认为随着产品出货增加、规模效应形成，公司 NAND 产品单价将逐步趋于 稳定，在性能有保障的情况下，产品对抗行业周期性变化的韧性增强。

4. 盈利预测

综合公司整体业务布局以及行业发展情况，基于以下假设预测公司各业务板块营 业收入：

1）NAND Flash：2019-2021 年 NAND 出货量分别为 3964.84 万颗、8554.45 万颗和 9032.96 万颗，考虑到 NAND 闪存为公司拳头产品，工艺性能优势较大，已 处于快速放量阶段，预计 2022-2024 年出货量增速分别为 35%、50%和 30%；

2）NOR Flash：2019-2021 年 NOR 出货量分别为 8276.45 万颗、9438.63 万 颗和 9357.35 万颗，考虑到下游智能汽车 ADAS、消费电子等对 NOR Flash 需求高 增，预计 2022-2024 年出货量增速分别为 35%、40%和 25%；

3）DRAM：DRAM 产品由子公司 Fidelix 负责销售，利基型市场下游智能产品是 DRAM 产品应用的主要场景，随着智能音箱、智能监控等智能家居产品的兴起，DRAM 收入将稳步增长，预计 2022-2024 年出货量增速分别为 10%、20%和 20%。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

精选报告来源：【未来智库】。未来智库 - 官方网站